东微半导主营产品名称Tri-gate IGBT、超级硅MOSFET、高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET
| 序号 | 数据类型 | 说明 |
| 0 | 主营产品名称 | Tri-gate IGBT 超级硅MOSFET 高压超级结MOSFET 中低压屏蔽栅MOSFET |
| 1 | 大股东名称 | 深圳国中中小企业发展私募股权投资基金合伙企业 有限合伙 上海浦东发展银行股份有限公司 广发小盘成长混合型证券投资基金 LOF 苏州工业园区高维企业管理合伙企业 有限合伙 卢万松 香港中央结算有限公司 哈勃科技创业投资有限公司 中新苏州工业园区创业投资有限公司 龚轶 苏州工业园区原点创业投资有限公司 王鹏飞 |
| 2 | 流通股东名称 | 苏州工业园区原点创业投资有限公司 中新苏州工业园区创业投资有限公司 哈勃科技创业投资有限公司 香港中央结算有限公司 上海浦东发展银行股份有限公司 广发小盘成长混合型证券投资基金 LOF 深圳国中中小企业发展私募股权投资基金合伙企业 有限合伙 苏州丛蓉私募基金管理合伙企业 有限合伙 苏州工业园区智禹东微创业投资合伙企业 有限合伙 上海国策投资管理有限公司 上海国策科技制造股权投资基金合伙企业 有限合伙 中芯聚源股权投资管理 上海 有限公司 上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心 有限合伙 海南天蝉智造创业投资合伙企业 有限合伙 |
| 3 | 经营范围 | 半导体器件 集成电路 芯片 半导体耗材 电子产品的设计 开发 销售 进出口业务及相关技术咨询和技术服务 依法须经批准的项目 经相关部门批准后方可开展经营活动 |
| 4 | 公司简介 | 公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级领域的高压超级结和中低压功率器件产品领域实现了国产化替代。公司产品的终端应用聚焦在工业级领域，同时也广泛应用在消费级领域。公司已在前述领域积累了全球知名的品牌客户群，并已成为部分行业领先客户认证的国产供应商之一。在工业及汽车相关应用领域中，公司积累了新能源汽车直流充电桩领域的终端用户如英飞源、英可瑞、特锐德等，5G基站电源及通信电源领域的终端用户如华为、维谛技术、麦格米特等，以及工业电源领域的终端用户如高斯宝、金升阳、雷能、通用电气等。在消费电子领域中，公司积累了大功率显示电源领域的终端用户如视源股份、美的、创维、康佳等。 |
| 5 | ev | 18063603992.7 |
| 6 | 控股股东 | 龚轶 王鹏飞 |
| 8 | 股东数量 | 5061 |
| 10 | 公司名称 | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 11 | 办公地址 | 江苏省苏州市苏州工业园区东长路88号2.5产业园三期N2栋5层 |
| 12 | 注册地址 | 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢515室 |
| 13 | 邮政编码 | 215121 |
| 14 | 主营产品 | 主要产品为MOSFET功率器件,包括高压超级结MOSFET及中低压屏蔽栅MOSFET等.是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业. |
| 15 | 总股本 | 67376367 |
| 16 | 法定代表人 | 龚轶 |
| 18 | 联系电话 | 86-512-62668198 |
| 19 | 传真 | 86-512-62534962 |
| 20 | 电子邮箱 | enquiry@orientalsemi.com |
| 21 | 网址 | www.orientalsemi.com |
| 22 | 信息批露人 | 李麟 |
| 23 | 信息指定批露媒体 | 中国证券报,上海证券报,证券时报,证券日报,经济参考报 |
| 24 | 公司曾用名 | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 26 | 董事长 | 龚轶 |
| 28 | cashtocurrentdebt | 29.628574390866 |
| 29 | 总经理 | 龚轶 |
| 30 | 财务总监 | 谢长勇 |
| 32 | 销售成本率 | 67.0737 |
| 33 | 流动比率 | 33.3678 |
| 34 | 资产负债率 | 3.1596 |
| 35 | 公司董事 | 龚轶,金光杰,吴昆红,李麟,卢万松,王鹏飞 |
| 36 | 董事会秘书 | 李麟 |
| 37 | 员工数量 | 75 |
| 38 | 本科人数 | 37 |
| 39 | 本科占比 | 49.33 |
| 40 | 董事会人数 | 9 |
| 43 | 高管人数 | 5 |
| 44 | 硕士人数 | 12 |
| 45 | 硕士占比 | 16 |
| 46 | 博士人数 | 3 |
| 47 | 博士占比 | 4 |
| 50 | 销售人员人数 | 17 |
| 51 | 销售人员占比 | 22.67 |
| 52 | 技术人员人数 | 33 |
| 53 | 技术人员点比 | 44 |
| 54 | 核心技术人员人数 | 4 |
| 56 | 公司高管 | 李麟,谢长勇,龚轶,卢万松,王鹏飞 |
| 57 | 每股股东自由现金流量 | -4.3673 |
| 58 | 每股企业自由现金流量 | -4.3673 |
| 59 | 销售毛利率 | 32.9263 |
| 60 | 实际控制人属性 | 个人 |
| 63 | 主营业务类型 | 电子元器件 |
| 64 | 销售净利率 | 23.2144 |
| 65 | 主营业务比率 | 99.9999944121798 |
| 67 | 速动比率 | 31.5387 |
| 68 | 每股留存收益 | 3.1141 |
| 69 | 总资产净利率 | 2.8639 |
| 70 | 年化总资产净利率 | 11.4556 |
| 71 | 总资产报酬率ROA | 3.2493 |
| 72 | 年化总资产报酬率 | 12.9972 |
| 73 | 净资产收入率ROE(平均) | 2.9972 |
| 74 | 净资产收入率ROE(摊薄) | 1.8222 |
| 75 | 年化净资产收益率 | 11.9888 |
| 76 | 投入资本回报率ROIC | 2.9339 |
| 77 | 人力投入回报率 | 2855.03841744526 |
| 79 | sec_name | 东微半导 |
| 86 | 公司监事 | 赵振强,李程晟,刘伟 |
| 87 | 每股资本公积 | 34.7728 |
| 88 | 每股盈余公积 | 0.2407 |
| 89 | 每股未分配利润 | 2.8734 |
| 90 | 营销收入同比增长率 | 45.4973 |
| 91 | 每股收益增长率 | 87.8048780487805 |
东微半导主营产品名称 SH688261主营产品名称Tri-gate IGBT、超级硅MOSFET、高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET